氧化锆陶瓷能和金属紧固地烧结在一起吗？

氧化锆熔点为2715℃,纯铁的熔点应该是1534℃。一般金属会先于氧化锆熔化。
如果你加热的温度可以达到金属的熔点以上，是可以烧结在一起的。当烧结的温度很高时，金属熔化并于氧化锆达到分子级的接触，之间形成分子键，仅靠极性键和范德化力就可以粘接的很牢固。

陶瓷电容器高温烧结为什么开始升温慢

多层陶瓷电容器(智旭JEC)是在表面组装电路中使用的最重要的电子元件之一。其在空气中烧结时，使用的内电极是昂贵的贵金属Pd或Ag／Pd合金。Pd比Ag昂贵很多，为了降低MLCC的生产成本，必须想办法减少内电极中Pd的质量比。而MLCC的烧结温度决定了内电极里Pd的质量比，更低的烧结温度意味着成本的降低。智旭电子以降低X7R陶瓷电容器的烧结温度为目的，在深入分析BaTiO_3陶瓷的改性机理的基础上，进行了研究。智旭电子研究的主要成果和结论如下： 研究了金属Zn掺杂对BT陶瓷的性能影响，发现BT陶瓷可以在980℃时烧熟，这主要是由于金属Zn的软化温度和熔点较低，可以起到助烧的作用。BT陶瓷的介电常数迅速增大，但容温性能变的很差。这可由渗透理论以及定比例法则来解释，当掺杂量低于掺杂阈值时，介电常数会随着掺杂量的增加而增大。 研究了CuO掺杂对BT陶瓷的性能影响，BT陶瓷可以在950℃时烧熟，介电常数没有显著变化，并且容温性能没有被严重恶化。CuO起降烧的作用，主要是由于其较低的熔化温度，可以很好的起到液相助烧的作用。 通过调整配方中各组分(MnCO_3，CBS助烧剂，ZnO)的含量，得到了具有更高介电常数的配方(ε=2878，TCC_(125℃)=-3．4)。方法主要是减少或者去掉配方中的某些组分，提高介电常数，研究了各组分(MnCO_3，CBS助烧剂，ZnO)在整个材料中起的作用，得到了更合理的配方：去掉MnCO_3，ZnO掺杂量保持不变，次助烧剂改为掺杂0．3wt％的CS(5：5)。 通过调整烧结工艺，获得满足工业生产需要的X7R陶瓷材料。在实验中，发现烧结时间对BT陶瓷性能的影响很大，这是由于烧结速率的改变，直接影响了BT陶瓷晶粒的生长。利用这一点，调节介电常数与容温性能两者的关系，从而获得两项性能都可满足的BT陶瓷。最终确定了2小时15分钟到2小时20分钟为最终配方的烧结工艺的第2阶段最佳烧结时间。各项性能满足X7R的工业生产对BT陶瓷各项性能的要求，即：ε≥2700，ρ≥10~(11)Ω·cm，tgδ≤1．0％，△C／C_(25℃)(-55℃-+125℃)≤±15％